浙大杭州国际科创中心先进半导体研究院2022年全球引才正式启动

岗位名称

待遇保障

岗位申报条件

顶尖人才

科创中心为顶尖人才及其创新团队提供充足科研资助和有竞争力的薪酬保障，采取“一人一议、一事一议”的方式。

中国科学院和工程院院士、发达国家院士、诺贝尔奖获得者、国际大奖获得者或相当水平的海内外顶尖学者。

攻坚人才

（1）提供有竞争力的市场化薪酬，具体一人一议； 
（2）符合条件者可享受科创中心人才房政策； 
（3）提供500-1200万科研资助； 
（4）提供150m2+办公、科研用房； 
（5）提供“专人一站式”服务，共享科创中心大型仪器设备； 
（6）符合条件者可享受杭州市、萧山区相应人才政策，协助申请人才配套用房； 
（7）符合相关要求的，可申请浙江大学长聘教职岗位。

教育部“奖励计划”获得者、国家杰出青年科学基金获得者或相当水平的海内外领军学者。

青年人才-“科创百人计划”（求是科创学者）

（1）提供有竞争力的市场化薪酬，具体一人一议； 
（2）符合条件者可享受科创中心人才房政策； 
（3）提供300万+科研资助； 
（4）提供良好的办公环境和充足的研究空间； 
（5）可兼聘至浙江大学相关院系，领域资深专家担任职业导师； 
（6）提供“专人一站式”服务，共享科创中心大型仪器设备； 
（7）符合条件者可享受杭州市、萧山区相应人才政策，协助申请地方政府人才配套用房； 
（8）符合相关要求的，可申请浙江大学长聘/预聘教职岗位。

在海内外高水平大学或研究机构获得博士学位；具有国际高水平大学助理教授相当学术水平，或海内外龙头企业总工程师、副总工程师、技术总监等职位相当水平；能独立发展一个学术或工程技术方向，有潜力成长为学术或技术带头人；年龄一般在35周岁左右，特别优秀者可适当放宽；具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣，对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法，从事过交叉学科研究者优先考虑；有宽禁带半导体材料与器件领域院士或国际知名专家推荐者优先考虑。

青年人才-科创青年人才

（1）提供有竞争力的市场化薪酬，具体一人一议； 
（2）符合条件者可享受科创中心人才房政策； 
（3）提供50-100万科研资助； 
（4）提供良好的办公环境和充足的研究空间； 
（5）提供“专人一站式”服务，共享科创中心大型仪器设备； 
（6）符合条件者可享受杭州市、萧山区相应人才政策，协助申请地方政府人才配套用房； 
（7）符合相关要求的，可申请浙江大学长聘/预聘教职岗位。

在国内外顶尖高校或知名研究机构获得博士学位；在相关领域具有良好的学科背景、研究积累以及创新研究思路，有坚实的专业基础和较深的学术造诣；具备作为独立PI开展研究工作的能力；年龄一般不超过35周岁；具有物理、材料、微电子、电气工程、化学等方向坚实的专业基础和较深的学术造诣，对宽禁带半导体材料与器件研究领域有足够的学科背景支持和较好的研究积累与想法，从事过交叉学科研究者优先考虑；原则上要求至少有一站博士后或两年工作经历。

博士后研究人员

（1）根据科研工作能力提供具有竞争力的薪酬（含地方政府人才补助），具体面议（应届博士毕业生另可获得杭州市应届生生活补贴10万元）； 
（2）对获得中国博士后科学基金资助和省级博士后科研项目资助的，杭州市、萧山区分别给予相应配套资助； 
（3）参与科创中心重大课题研究并取得显著成绩的，可获得额外资助或津贴； 
（4）提供一流的实验与科学研究条件； 
（5）协助申请杭州市、萧山区人才配套用房； 
（6）工作期间表现优秀、业绩突出者，如符合相应要求，可优先推荐申请科创中心“求是科创学者”岗位或技术开发岗位； 
（7）在站期间，符合条件者可申报科创中心相关系列高级专业技术职务；出站优秀者入职科创中心的可认定副研究员职称，并可获得地方政府80万人才补贴； 
（8）入选者符合杭州市高层次人才标准的，可协助解决子女入园入托问题。

近三年内获得博士学位，身心健康，年龄不超过35周岁；具有相关学科背景；有较强的团队合作意识和独立科研工作能力；具备良好的英语听说读写能力；能够全职从事博士后工作，无博士后退站经历。

序号

全名

重点引进方向

需求专业

1

半导体材料研究室（该研究室招聘顶尖人才、攻坚人才、青年人才及博士后）

宽禁带半导体材料（包括但不限于以下方向）： 
碳化硅单晶的生长、碳化硅薄膜的外延、碳化硅中的杂质和缺陷、碳化硅的电化学、碳化硅的表面及界面、碳化硅的新颖原型器件、氮化镓薄膜的外延、半导体金刚石单晶薄膜的生长、氧化镓单晶的生长、氧化镓中的杂质和缺陷、宽禁带半导体材料与二维材料的前沿交叉、宽禁带半导体材料的制备和加工设备。

物理、材料、微电子、电气工程、化学等相关专业

2

功率芯片研究室（该研究室招聘顶尖人才、攻坚人才、青年人才及博士后）

宽禁带半导体器件（包括但不限于以下方向）： 
碳化硅功率器件、氮化镓功率器件、氧化镓功率器件、其他宽禁带功率器件、单芯片集成技术、多芯片集成技术、芯片散热技术、能量收集技术、宽禁带传感技术芯片、其他宽禁带技术等。

物理、材料、微电子、电气工程、化学等相关专业

3

封装测试研究室（该研究室招聘顶尖人才、攻坚人才、青年人才及博士后）

封装测试和应用（包括但不限于以下方向）： 
功率器件的封装、其他相关器件的封装、模块集成测试技术和电力电子装置的开发。

物理、材料、电气工程、微电子等相关专业

4

射频芯片研究室（该研究室招聘顶尖人才、攻坚人才）

射频芯片（包括但不限于以下方向）： 
氮化镓射频器件、氧化镓射频器件、金刚石射频器件、射频芯片设计开发（如功率放大器、低噪声放大器、开关、混频器、微波控制芯片、频率变换芯片、微波多功能芯片等）。

微电子、电磁场与微波、电子工程、半导体器件与工艺、凝聚态物理、信息处理技术、软件开发与计算机应用技术、自动控制与系统工程、传感器与执行器技术等相关专业

5

MEMS实验室（该实验室招聘攻坚人才）

MEMS（包括但不限于以下方向）： 
薄膜体声波谐振器（FBAR）技术、声表面波（SAW）技术、射频有源无源异质异构单片集成技术、5G/6G射频滤波器开发及产业化等。

电子科学与技术、微电子、物理、材料、通信等相关专业